已知R1=0x20000000,R0=0x55667788,在大端模式下执行ARM指令STRR0,[R1]之后,0x20000003中的值为()。A、0x55B、0x66C、0x77D、0x88

已知R1=0x20000000,R0=0x55667788,在大端模式下执行ARM指令STRR0,[R1]之后,0x20000003中的值为()。

  • A、0x55
  • B、0x66
  • C、0x77
  • D、0x88

相关考题:

将ARM处理器R0中的一个字节的数据,存入由R1+4指示的内存区域,且地址自动更新,则使用的ARM指令是()。A.STR R0,[R1,4]B.STRH R0,[R1,4]!C.STRH R0,[R1,4]D.STRB R0,[R1,4]!

已知ARM处理器R1=0x12345678, R2=0xFF008899,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(13)__________________,R1=(14)___________________。

ARM处理器将R0中一个字的数据,存入由R1指示的内存区域,则使用的指令是()。A.STR R0,[R1]B.LDR R0,[R1]C.STRH R0,[R1]D.STRB R0,[R1]

已知ARM处理器进位标志C=1, R1=1000, R2=99, 执行指令ADDC R0,R1,R2之后,R0=___【13】____, R1=___【14】____。

已知ARM处理器的R1=0x12345678, R2=0xFF00FF00,则执行指令ORR R0,R1,R2后,寄存器R0=___【11】____,R1=___【12】____。

已知R1=0x12345678,R2=0x80000101,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=___【13】____,R2=___【14】____。

已经R0=8000,R1=8800,执行指令MOV R0,R1, LSR2后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。

已知R0=0,R1=10000,R2=20000,指令ADD R0,R1,R2执行后,R0=___【13】____,R1=___【14】____。

如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为:()。A.LDRPL R0,[R1]B.LDRMI R0,[R0]C.LDRHMI R1,[R0]D.LDRBMI R0,[R1]

已知R0=0x10,R1=0x20,R2=0x08,R3=0xFFFFFFF3,则指令LSL R0,R0,R2执行后,R0=___【13】___,指令MVN R1,R3执行后R1=___【14】___。

图所示的射极输出器中,已知Rs=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,RE=1kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ,则放大电路的Au、r1和r0分别是(  )。A.Au=98,r1=16kΩ,r0=2.1kΩB.Au=9.8,r1=16kΩ,r0=21kΩC.Au=0.98,r1=16kΩ,r0=21kΩD.Au=0.98,r1=16kΩ,r0=2.1kΩ

当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。A、R1>R0B、R1<R0C、R1=2R0D、R1=R0

如果条件为负数,将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中,正确的ARM指令为()。A、LDRPL R0,[R1]B、LDRMI R0,[R0]C、LDRHMI R1,[R0]D、LDRBMI R0,[R1]

下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()A、AND R0, R1, R2B、SUB R0, R1, R2C、ADD R0, R1, R2D、AND R1, R2, R0

已知R1=0x12345678,R2=0x80000101,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(),R2=()。

阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1执行这段程序后,R0的值为()A、 0x22B、 0x33C、 0x11D、 0

已知ARM处理器R1=0x12345678,R2=0xFF008899,则执行指令ANDR0,R1,R2后,寄存器R0=(),R1=()。

已知R1=8,R0=9,执行指令MOV R0,R1,LSR#3后,R0的值为()。A、1B、8C、0x10D、0x80

阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1执行上述程序后,CPSR的下列哪个标志位将发生变化()A、 CB、 VC、 ZD、 以上都不对

当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是()。A、R1>R0;B、R1<R0;C、R1=2R0;D、R1=R0。

在电路中,已知电阻R1=6,R2=15,R3=10,R2与R3并联后与R1串联,该电路总电阻R0为()A、8B、10C、12D、14

金属导电环式结冰信号器的受感器中装有热敏电阻R0和加温电阻R1,当受感器感受的温度在0°以下时,在()A、飞机未结冰时,R1通电而R0阻值减小B、飞机未结冰时,R1不通电而R0阻值增大C、飞机结冰时,R1通电而R0阻值保持不变D、飞机结冰时,R1不通电而R0阻值保持不变

单选题以下ARM指令中属于寄存器间接寻址的指令是()。ATST R1,#0xFEBLDRB R1,[R2]CMOV R1,R0,LSL#3DBIC R0,R0,#0x0B

填空题已知ARM处理器R1=0x12345678,R2=0xFF008899,则执行指令ANDR0,R1,R2后,寄存器R0=(),R1=()。

填空题已知R1=0x12345678,R2=0x80000101,则执行指令AND R0,R1,R2后,寄存器R0=(),R2=()。

单选题阅读下列程序,回答问题: LDR R0, 0x22 LDR R1, 0x11 SUB R0, R0, R1 CMP R0, R1执行这段程序后,R0的值为()A 0x22B 0x33C 0x11D 0

单选题下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.()AAND R0, R1, R2BSUB R0, R1, R2CADD R0, R1, R2DAND R1, R2, R0