以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电B、SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感C、SRAM主要用于高速缓存D、SRAM具有双稳态特性

以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()

  • A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
  • B、SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感
  • C、SRAM主要用于高速缓存
  • D、SRAM具有双稳态特性

相关考题:

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高Ⅱ.SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

DRAM与SRAM比较:() A、DRAM比SRAM速度快B、DRAM比SRAM价格低C、DRAM比SRAM较容易使用

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM存储密度高Ⅱ.相同存储容量的SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中错误的叙述是______。A) Ⅰ和ⅡB) Ⅱ和ⅢC) Ⅲ和ⅣD) Ⅰ和ⅣA.B.C.D.

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中哪两个叙述是错误的?A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM比SRAM集成度高Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新其中哪两个叙述是正确的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

SRAM和DRAM的区别?() A.SRAM比DRAM功耗高B.SRAM比DRAM成本高C.SRAM比DRAM速度快D.SRAM比DRAM散热大

以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。 A.SRAM 的内容是不变的,DRAM 的内容是动态变化的B.DRAM 断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM 的内容是只读的,DRAM 的内容是可读可写的D.SRAM 和DRAM 都是可读可写的,但DRAM 的内容需要定期刷新

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()A、DRAM具有双稳态特性B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电C、DRAM主要用于主存,帧缓冲区D、SRAM对干扰非常敏感

以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRM需要周期性刷新

以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRAM需要周期性刷新

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

以下关于随机访问存储器(RAM)说法错误的是()A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器,既可以在CPU芯片上,也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失B、DRAM使用内部电容来保存信息C、SRAM的集成度高于DRAMD、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失

SRAM和DRAM的区别?()A、SRAM比DRAM功耗高B、SRAM比DRAM成本高C、SRAM比DRAM速度快D、SRAM比DRAM散热大

单选题以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()ADRAM具有双稳态特性BSRAM将每个位存储为对一个电容的充电CDRAM主要用于主存,帧缓冲区DSRAM对干扰非常敏感

单选题以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电BSRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感CSRAM主要用于高速缓存DSRAM具有双稳态特性

单选题下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A①和②B②和③C③和④D①和④