简述雪崩和本征电击穿的区别。

简述雪崩和本征电击穿的区别。


相关考题:

二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿

二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP

二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿

由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿

简述电脱盐电极棒击穿的处理方法。

雪崩击穿

简述共征信机构和私人征信机构的区别。

雪崩击穿二极管(ABD管)反向偏置时,有哪几种工作模式?()A、待机B、钳制C、击穿D、短路

简述生物电和人工电的区别?

在伏安特性曲线上,在规定的脉冲直流电流IT(或IBR)或接近发生雪崩的电流条件下,雪崩击穿二极管(ABD管)两端测得的电压称之为()。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压

二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP

简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

二极管的齐纳击穿会烧坏PN结,而雪崩击穿不会烧坏PN结。

简述电子雪崩

简述电紧张突触和化学突触的区别。

齐纳击穿时的击穿电压约()V,当反向击穿电压()时,为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数,而雪崩击穿具有()电压温度系数。

当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿()A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿

PN结的反向击穿有雪崩和()两种击穿。

问答题简述生物电和人工电的区别?

名词解释题雪崩击穿

填空题PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。

问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

问答题简述电脱盐电极棒击穿的处理方法。

判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A对B错

多选题雪崩击穿二极管(ABD管)反向偏置时,有哪几种工作模式?()A待机B钳制C击穿D短路

判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A对B错