数据的逻辑结构可以形式的用一个二元组B=(K,R)来表示,其中K是()R是*()。

数据的逻辑结构可以形式的用一个二元组B=(K,R)来表示,其中K是()R是*()。


相关考题:

设某数据结构的二元组形式表示为A=(D,R),D={01,02,03,04,05,06,07,08,09},R={r},r={01,02,01,03,01,04,02,05,02,06,03,07,03,08,03,09},则数据结构A是()。A、线性结构B、树型结构C、物理结构D、图型结构

在关系数据库中,用来表示实体之间联系的是( )。A.二维表B.E—R图C.元组SXB 在关系数据库中,用来表示实体之间联系的是( )。A.二维表B.E—R图C.元组D.文件

一个数据结构可以表示成:S=(D,R),其中R表示()A数据元素之间前后件关系的集合B数据元素可以进行的操作C数据元素的集合D数据元素的存储结构

一个应用单位的概念结构可以用直观的E-R图表示,在E-R图中,可表示的内容有()。 A、实体,元组,联系B、实体,属性,联系C、实体,子实体,处理流程D、实体,元组,属性

数据的逻辑结构可用一个二元组B=(K,R)来表示,其中K是数据元素的集合,R是【 】。

如果用r表示套管内径半径(m),h表示人工井底深度(m),k表示附加量(取50%~100%),则压井液用量V计算公式为()。A.V=πr2h·kB.V=πr3h·kC.V=πr2h·(k+1)D.V=πr2h+k

选择运算(σ):σF(R)={t|t∈R∧F(t)=TRUE}选择运算是对一个二维表按条件F进行横向选择,从R中选择出若干元组(行),其中F是一个逻辑表达式,其值为“真”或“假”,如“课号=“C12”∧成绩>80”可以用检索选修了G12课程并且成绩大于80分的学生数据。投影运算(π):πA(R)={t[A]|t∈ R}投影运算是对一个二维表进行纵向筛选,从R中选择出若干属性列,组成新的关系,其中A为R的属性组,t[A]表示只取元组t中相应A属性的分量。σR.C=S.C(R×S) :选择(R×S) 中满A.σR.C=S.C(πA,B,D(R×S))B.πA,B,D(σR.C=S.C(R×S))C.σR.C=S.C((πA,B R)×(πD S))D.σR.C=S.C(πD((πA,B R)×S)

数据结构被形式地定义为(K,R),其中K是( )的有限集,R是K上的关系有限集。A.算法B.数据元素C.数据操作D.逻辑结构

若将数据结构形式定义为二元组(K,R),其中K是数据元素的有限集合,则R是K上( )A.操作的有限集合B.映象的有限集合C.类型的有限集合D.关系的有限集合

若将数据结构形式定义为二元组(K,R),其中K是数据元素的有限集合,则R是K上(26)。A.操作的有限集合B.映像的有限集合C.类型的有限集合D.关系的有限集合

阅读以下说明,将应填入(n)处的字句写在答卷纸的对应栏内。【说明】下面的程序为堆排序程序,其中函数adjust(i,n)是把以R[i](1≤i≤┕i/2┙)为根的二叉树调整成堆的函数,假定R[i]的左、右子树已经是堆,程序中的,是在主函数中说明的结构数组,它含有要排序的n个记录。【程序】Void adjust(i,n)Int i,n;{iht k,j;element extr;extr=r[i];k=i;j=2*i;while (j<=n ){if ((j<n) (r[j].key<r[j+1].key))(1);if (extr. key<r[j].key){r[k]=r[j];k=j;(2);}else(3);}r[k]=extr;}/*让i从┗i/2┛逐步减到1, 反复调用函数adjust, 便完成建立初始堆的过程。*/void heapsort (r,n)list r;int n;{int i,1;element extr;for (i=n/2;i>=1;- -i)(4); /* 建立初始堆*/for (k--n;k>=2;k- -){extr=r[1];r[1]=r[k];r[k]=extr;(5);}}

数据结构被形式地定义为(K,R),其中K是(34)的有限集合,R是K上(35)的有限集合。A.算法B.数据元素C.数据操作D.逻辑结构

海明码是一种常用的纠错码。如果被校数据是k位二进制数,再增加若干位校验位,使得校验位的值决定于某些被校位数据,当被校数据出错时,可根据校验位值的变化找到出错位,进而纠正出错位。若新增校验位为r位,则校验位之位数与被校验数据之位数应满足(3)。由校验位和被校验位数据逐位异或可得到海明校验值,如果各位海明校验值均为零,表示(4)。A.2r≥k+rB.2r≥k+r+1C.2k≥k+r+1D.2r≥k+r

设某数据结构的二元组形式表示为A=(D,R),D={01,02,03,04,05,06,07,08,09},R=|r|,r={<01,02>,<01,03>,<01,04>,<02,05>,<02,06>,<03,07>,<03,08>,<03,09>},则数据结构A是()。A.图型结构B.树型结构C.物理结构D.线性结构

用万用表上的欧姆档测量二级管时最好用()A、R×10K档B、R×1K或R×100档C、R×10或R×1档

数据结构的定义为(K,R),其中K是()的集合。A、算法B、数据元素C、数据操作D、逻辑结构

用万用表的欧姆挡测量二极管的极性和好坏时,应选择()。A、R×1kΩ或R×100Ω挡B、R×1Ω挡C、R×10Ω挡D、R×100kΩ挡

数据结构被形式地定义为<D,R>,其中D是()的有限集。A、算法B、数据元素C、数据操作D、逻辑结构

设数据结构D-S可以用二元组表示为D-S=(D,S),r∈S,其中:   D={A,B,C,D},  r={〈A,B〉,〈A,C〉,〈B,D〉},则数据结构D-S是:()A、线性结构B、树形结构C、图形结构D、集合

数据结构被形式地定义为<D,R>,其中R是()的有限集。A、算法B、数据元素C、数据操作D、逻辑结构

用万用表测量二极管的极性时,万用表的量程应选择()A、R×10K档;B、R×10档;C、R×100档或R×1K档;D、R×1档

用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量一个整流二极管的正向电阻,二次测试结果是()A、相同B、R×10档的测试值小C、R×1K档的测试值小

用万用表欧姆挡测量二极管的极性和好坏时,应把欧姆挡拨到()。A、R³100Ω或R³1kΩ挡B、R³1Ω挡C、R³10kΩ挡D、R³100kΩ挡

单选题数据结构被形式地定义为<D,R>,其中R是()的有限集。A算法B数据元素C数据操作D逻辑结构

单选题设数据结构D-S可以用二元组表示为D-S=(D,S),r∈S,其中:   D={A,B,C,D},  r={〈A,B〉,〈A,C〉,〈B,D〉},则数据结构D-S是:()A线性结构B树形结构C图形结构D集合

单选题数据结构被形式地定义为<D,R>,其中D是()的有限集。A算法B数据元素C数据操作D逻辑结构

单选题数据结构的定义为(K,R),其中K是()的集合。A算法B数据元素C数据操作D逻辑结构