基因连锁强度与重组率成反比。
基因连锁强度与重组率成反比。
相关考题：
X线衰减的反平方法则是指( )。A.X线强度与管电压的平方成反比B.X线强度与距离的平方成反比C.X线强度与管电流的平方成反比D.X线强度与原子序数的平方成反比E.X线强度与每克电子数的平方成反比
以下论述正确的是：()。A.X线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成反比B.X线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成正比C.X线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成正比D.X线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成反比E.X线衰减后的强度与入射X线的强度反比，与所穿过物质的密度成正比、与厚度成反比
X线衰减的反平方法则是指（）A、X线强度与管电压的平方成反比B、X线强度与距离的平方成反比C、X线强度与管电流的平方成反比D、X线强度与原子序数的平方成反比E、X线强度与每克电子数的平方成反比
关于发光强度与照度的关系，正确的说法是（）A、照度与光源的发光强度成反比B、照度与光源的发光强度成正比，与物体离开光源的距离成反比C、照度与光源的发光强度成正比，与物体离开光源距离的平方成反比D、照度与光源的发光强度成反比，与物体离开光源距离的平方成正比
部分电路的欧姆定律的定义是通过电阻的电流强度（）。A、与电阻两端所加的电压成反比，与电阻成正比B、与电阻两端所加的电压成正比，与电阻率成反比C、与电阻两端所加的电压成反比，与电阻率成正比D、与电阻两端所加的电压成正比，与电阻成反比
影响X射线强度的因素，正确的是（）A、X射线强度与管电压成正比B、X射线强度与管电压成反比C、X射线强度与靶物质原子序数成反比D、管电流与产生的X射线光子数量成反比E、X射线强度与X射线波长成正比
以下论述正确的是（）A、X线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成反比B、X线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成正比C、X线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成正比D、X线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成反比E、X线衰减后的强度与入射X线的强度反比，与所穿过物质的密度成正比、与厚度成反比
单选题X线衰减的反平方法则是指（ ）。AX线强度与管电压的平方成反比BX线强度与距离的平方成反比CX线强度与管电流的强度成反比DX线强度与原子序数的平方成反比EX线强度与每克电子束的平方成反比
单选题部分电路的欧姆定律的定义是通过电阻的电流强度（）。A与电阻两端所加的电压成反比，与电阻成正比B与电阻两端所加的电压成正比，与电阻率成反比C与电阻两端所加的电压成反比，与电阻率成正比D与电阻两端所加的电压成正比，与电阻成反比
单选题关于发光强度与照度的关系，正确的说法是（）A照度与光源的发光强度成反比B照度与光源的发光强度成正比，与物体离开光源的距离成反比C照度与光源的发光强度成正比，与物体离开光源距离的平方成反比D照度与光源的发光强度成反比，与物体离开光源距离的平方成正比
单选题以下有关X线衰减的叙述哪项是正确的：（）AX线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成反比BX线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成正比CX线衰减后的强度与入射X线强度成正比，与所穿过物质的密度及厚度成正比DX线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度及厚度成反比EX线衰减后的强度与入射X线强度成反比，与所穿过物质的密度成正比，与物质的厚度成反比