5、采用CMOS结构实现下列逻辑运算时，哪些需要使用8个MOS晶体管A．y=(a+b.c)’B．y=a+b+cC．y=a+b+c’D．y=a‘+b

5、采用CMOS结构实现下列逻辑运算时，哪些需要使用8个MOS晶体管

A．y=(a+b.c)’

B．y=a+b+c

C．y=a+b+c’

D．y=a‘+b

参考答案和解析
y=a+b+c;y=a‘+b

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当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时,必须还要具备有() A、触发器B、晶体管C、MOS管D、电容
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画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）
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CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?
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试说明如下各种门电路中哪些输出端可以直接并联使用?(1)具有推拉输出(图腾柱)的TTL电路。(2)TTL电路OC门。(3)TTL电路三态门。(4)具有互补输出(非门)结构的CMOS电路。(5) CMOS电路OD门。(6) CMOS电路三态门。
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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开关MOS管选型需要注意哪些参数？
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CMOS漏极开路门的特点有（）。A、输出MOS管的漏极是开路的B、可以实现线与功能C、可以用来实现逻辑电平转换D、带负载能力强
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在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
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从半导体加工技术方面看，微机上一般多采用（）。A、MOS晶体管B、DOS晶体管C、POS晶体管
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TTL集成电路，（）。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。A、CMOS电路高得多B、CMOS电路低得多C、两者差不多D、不确定
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下列关于CMOS的说法正确的是（）。A、CMOS中信息将随着关机而丢失B、CMOS不使用系统电源，只使用机器主板上的扣型锂电池C、CMOS实际是ROM，不需要供电D、CMOS中存放了设备的参数
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IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。
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问答题在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？
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问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
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判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A对B错
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填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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问答题什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?
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判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A对B错
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问答题什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
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多选题CMOS漏极开路门的特点有（）。A输出MOS管的漏极是开路的B可以实现线与功能C可以用来实现逻辑电平转换D带负载能力强
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