二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A、0.3B、0.7C、0D、10
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
在线性检波电路中，二极管的正向导通压降是否带来检波误差？
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
关于二极管的说法正确的是（）A、二极管具有单向导通的特性B、二极管在交流正半周时导通C、二极管在交流负半周时截止D、二极管在直流时导通
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
单选题若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A0.3B0.7C0D10
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错