半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
根据合金元素的种类、特征、质量分数和钢的冶炼方法、热处理工艺不同，合金元素在钢中的存在形式主要有（）A、共混态B、掺杂态C、固溶体D、化合物E、游离态
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
问答题什么是掺杂？为什么掺杂后的共轭高聚物的电导率可大幅度提高？
问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
多选题根据合金元素的种类、特征、质量分数和钢的冶炼方法、热处理工艺不同，合金元素在钢中的存在形式主要有（）A共混态B掺杂态C固溶体D化合物E游离态
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
问答题埋层有什么作用？说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。
问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
多选题以下哪些工艺应用的原子扩散的理论（）A渗氮B渗碳C硅晶片掺杂D提拉单晶硅