采用直接压片或包衣工艺A、延缓水解的方法B、防止氧化的方法C、制备稳定的衍生物的方法D、改进药物剂型的方法E、改进生产工艺的方法
为防止反渗透膜被生物污染，通常采用进水在投加还原剂之前保证大于0.1mg／L（）的方法，并定期使用其他非氧化型消毒剂对膜的清洗。A、还原剂B、余氯C、氧化剂D、除锈剂
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
简述真空掩膜蒸镀技术实现红绿蓝像素并置全彩色方案的工艺流程。
玻璃镀减反射膜的材料通常为（）。A、氟化镁B、氧化锆C、氧化钛D、氧化硒
在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
通常可以采用（）等方法对铝及其合金的阳极氧化膜进行封闭处理，以提高氧化膜的抗蚀性和耐压性能。A、沸水封闭B、蒸汽封闭C、重铬酸盐封闭D、钝化处理
89C51采用的内部程序存储器是（）。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM
AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是（）。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM
填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
填空题制备氧化锆普遍采用的工艺制备方法有（）、（）、（）、（）。
问答题实际氧化工艺为什么要采用先干氧、再湿氧、最后再干氧的氧化方法？
单选题为防止反渗透膜被生物污染，通常采用进水在投加还原剂之前保证大于0.1mg／L（）的方法，并定期使用其他非氧化型消毒剂对膜的清洗。A还原剂B余氯C氧化剂D除锈剂
单选题玻璃镀减反射膜的材料通常为（）。A氟化镁B氧化锆C氧化钛D氧化硒
问答题铝阳极氧化膜的封闭通常有哪几种方法？为何要进行封闭？
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
单选题工艺评定中测量硬度通常采用哪种试验方法：（）AHBBHRCCHVDHRB
判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A对B错
单选题某个PCB中，安全间距过小，加工中哪一工艺步骤最可能失败（）。A阻焊掩膜B光绘C蚀刻D钻孔
问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
多选题城市污水三级处理通常采用的方法有（）A生物脱氮除磷B活性污泥法C氧化还原D生物膜法E混凝沉淀
填空题化学加工采用（）制备掩膜，不仅将涂覆和刻划两道工序合二为一，而且可以做到更加细密。