2、正偏PN结中,耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

2、正偏PN结中,耗尽区边界的少子小于平衡态少子。


参考答案和解析
错误

相关考题:

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏

PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移

PN结加反向电压,则()A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

PN结正偏时,PN结的电阻径大。

给PN结加反向电压(反偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

PN结加正向电压时,其正向电流是()。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

给PN结加正向电压(正偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

填空题PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

判断题对于一个PN结,如果反偏电压降低,耗尽区宽度将减小。A对B错

填空题当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

单选题PN结加反向电压,则()A有利于少子的扩散BPN结电阻变小CPN结变薄D不利于多子的扩散

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A多子---少子---少子;B少子---多子---多子;C多子---多子---多子D少子---少子---少子。

填空题PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。

填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

填空题薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于()。在薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为()。

填空题晶体管中的少子在渡越()的过程中会发生(),从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子()。

填空题扩散电容反映的是 PN 结的()电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越();少子寿命越长,则扩散电容就越()。

填空题PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

单选题PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A多子扩散B少子扩散C少子漂移D多子漂移

单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流