MOS管的跨导可以用来表征栅电压的控制能力,跨导越大,表示控制能力越强 。

MOS管的跨导可以用来表征栅电压的控制能力,跨导越大,表示控制能力越强 。


参考答案和解析

相关考题:

用导梁法架设混凝土梁时,导梁纵拖时抗倾覆稳定系数不得小于(),导梁长度应设计为大于两个桥跨长度。当条件允许时,可在跨中设中间临时墩。

某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V

自我控制能力与成功高度成正相关,自我控制能力越强,成功的可能性就越大。() 此题为判断题(对,错)。

跨导

在MOS门电路中,欲使NMOS管导通可靠,栅极所加电压应小于开启电压UTN。()

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

换相失败的实质是()不能满足晶闸管恢复控制能力的需求。A、触发角B、关断角C、换相角D、导通角

跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下,栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。()对阳极电流的控制能力很强。A、S越大,说明栅极电流B、S越大,说明栅极电压C、S越小,说明栅极电压D、S越大,说明栅极电流

跨导gm反映了场效应管()对()控制能力,其单位为()或()。

电子三极管跨导的定义式为()

衡量场效应管控制能力的主要参数是()A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻

N沟道JFET的跨导gm是()A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小

场效应管跨导gm表示()对漏电流iD的控制能力的强弱。

晶体管导通期间所对应的角度称为(),它的值越大,负载上的输出电压越高。A、导通角B、控制角C、功角

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。

绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

场效应晶体管的主要参数有()A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流

场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。

在MOS门电路中,欲使FMO3管导通,栅极所加电压应()开启电压(Ure0)。A、大于B、小于C、等于D、任意

跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下,栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。()对阳极电流的控制能力越强。A、S越大,说明栅极电压B、S越大,说明栅极电流C、S越小,说明栅极电压D、S越小,说明栅极电流

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

TCP/IP具有跨平台、可路由的特点,可以实现导构网络的互联,同时也可以跨网段通信。

多选题关于晶闸管导通角α的说法错误的是()。A导通角α越大,则晶闸管整流输出电压越高B导通角α越大,则晶闸管整流输出电压越低C导通角α越大,则电动机的转速越低D控制极电压越高,则导通角α越小

填空题电子三级管跨导的定义式为()

填空题用导梁法架设混凝土梁时,导梁纵拖时抗倾覆稳定系数不得小于(),导梁长度应设计为大于两个桥跨长度。当条件允许时,可在跨中设中间临时墩。

名词解释题跨导

单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降C温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高D温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

填空题MOSFET的跨导的定义是(),反映了()对()的控制能力。