磁半导体的发明是将霍尔效应和光电效应组合后研制的
磁半导体的发明是将霍尔效应和光电效应组合后研制的
参考答案和解析
错误
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用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
问答题什么是霍尔效应？为什么半导体材料适合于做霍尔元件？