可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca 2+D. Cl-E.H+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca 2+

D. Cl-

E.H+


相关考题:

下列各题备选答案 A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+ 促使轴突末梢释放神经递质的离子是

动作电位产生的原因是() A.K+通道开放B.Na+通道开放C.Ca++通道开放D.Cl-通道开放

氢氯噻嗪对尿中离子的影响是A.K+增力口B.Na+增多C.C1增加D.C0增多E.排Ca2+增加

(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

神经细胞在产生动作电位时,去极化的方向是朝向下列哪种电位的A.K+与Cl-的平衡电位B.Na+与Cl-的平衡电位C.Na+的平衡电位D.K+的平衡电位E.有机离子A-的平衡电位

窦房结自律细胞动作电位0期去极的离子基础是 ( )A.K+外流B.Na+内流C.K+内流D.Ca2+外流E.Ca2+内流

抑制性突触后电位的产生,是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+、Cl-,尤其是Cl-B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.Na+、Cl-、K+,尤其是K+

消化道平滑肌细胞动作电位产生的主要离子基础是A.K+外流B.Na+内流C.Ca2+内流D.Cl-内流

窦房结P细胞动作电位0期去极的离子基础是A.K+外流B.Na+内流C.K+内流D.Ca2+外流E.Ca2+内流

神经细胞动作电位上升支形成的离子基础是A.K+外流B.Na+外流C.Ca2+内流D.Na+内流E.C1-内流

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

{TSE}题共用备选答案 A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D. Cl- E.H+ 静息电位产生的离子基础是

促使轴突末梢释放神经递质的离子是A.K+ B.Na+ C.Ca 2+ D. Cl- SX 促使轴突末梢释放神经递质的离子是A.K+B.Na+C.Ca 2+D. Cl-E.H+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A.K+、Cl-,尤其是K+B.Na+、Cl-,尤其是Na+C.K+、Cl-。尤其是Cl-D.ca2+、cl-尤其是Ca2+E.Na+、Cl-,尤其是Cl-

神经细胞在产生动作电位时,去极化的方向是朝向下列哪种电位的( )A.K+的平衡电位B.Na+与Cl-的平衡电位C.Na+的平衡电位D.K+与Cl-的平衡电位

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

抑制性突触后电位产生的离子机制是A. Na+内流B. K+内流C. Ca 2+内流D. Cl -内流E. K+外流

消化道平滑肌细胞动作电位产生的主要离子基础是A. K+外流B. Na+内流C.Ca 2+内流D. Cl-内流

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

促使轴突末梢释放神经递质的离子是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

静息电位产生的离子基础是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流

单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()AK+BH+CCa2+DCl-ENa+