vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
手动变速驱动桥是一个由 ( )组成的单独装置。 A、发动机B、起动机C、离合器D、变速器E、驱动桥
驱动桥壳、桥管不允许有变形和裂纹，驱动桥工作应正常且不允许有（）。
下列关于传动系驱动桥的说法，正确的有（） A、驱动桥工作时不得有异响B、驱动桥壳、桥管不得有变形C、驱动桥管不得有裂纹D、驱动桥壳可以有裂纹
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
单相半桥逆变器（电压型）的每个导电臂由一个电力晶体管和一个（）组成二极管。A、串联B、反串联C、并联D、反并联
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
在前驱汽车中，变速器和驱动桥组成一个单独的整体，叫做（）。
三极管按内部结构的不同，分为（）型。A、TTLB、CMOSC、NPND、PNPE、MOS
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。A对B错
单选题LM18200内部有（）个MOS管，组成一个标准的H型驱动桥。A2B4C8D6
填空题在前驱汽车中，变速器和驱动桥组成一个单独的整体，叫做（）。
多选题场效应管MOSF、E、T的驱动方式有（）A用TTL驱动B用C、MOS电路驱动C线性互补电路驱动D变压器耦合驱动