静态MOS型随机存储器的优点包括（）。A、速度快B、不要刷新C、可靠性高D、集成度高
静态MOS型随机存储器的优点包括（）。
- A、速度快
- B、不要刷新
- C、可靠性高
- D、集成度高
相关考题：
下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。（9）A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。A) RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B) SRAM的集成度比DRAM高C) DRAM的存取速度比SRAM快D) DRAM中存储的数据无须“刷新”A．B．C．D．
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面关二随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须“刷新”
请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
单选题下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。ARAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类BSRAM的集成度比DRAM高CDRAM的存取速度比SRAM快DDRAM中存储的数据无须“刷新”
单选题下面关于随机存取存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。A静态RAM（SRAM）集成度低，但存取速度快且无须“刷新”BDRAM的集成度高且成本高，常做Cache用CDRAM的存取速度比SRAM快DDRAM中存储的数据断电后不会丢失
单选题与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）A速度快，功耗小B集成度高C速度慢D容量大