堆焊层金属与基体金属之间结合强度较差,堆积层金属的耐磨性和耐腐蚀性差。() 此题为判断题(对，错)。
砂的紧装密度、表观密度、堆积密度关系为（ ）。A.紧装密度＞表观密度＞堆积密度B.紧装密度＞堆积密度＞表观密度C.堆积密度小于紧装密度小于表观密度D.紧装密度小于表观密度小于堆积密度
对于同一种材料，各种密度参数的大小排列为（ ）。A、密度>堆积密度>表观密度B、密度>表观密度>堆积密度C、堆积密度>密度>表观密度D、表观密度>堆积密度>密度
静电释放带来的问题有哪些（）。A、金属电迁移B、金属尖刺现象C、芯片产生超过1A的峰值电流D、栅氧化层击穿E、吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
碎石材料的几种密度中，大小顺序正确的为（）。A、表观密度毛体积密度堆积密度B、表观密度堆积密度毛体积密度C、堆积密度毛体积密度表观密度D、毛体积密度堆积密度表观密度
对于常规材料而言，一般符号如下规律（）。A、密度堆积密度表观密度B、密度表观密度堆积密度C、表观密度堆积密度密度D、堆积密度密度表观密度
跳线指（）A、不带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接B、带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接C、不带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接D、带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接
堆积密度是指其在自然堆积状态下单位体积的质量；而表观密度则是指骨料颗粒（）的质量。
所有的传统元器件，如晶体管、电阻、连线等都将在硅片内以（）的互相连接。A、 串行的形式B、 并行的形式C、 个体的形式D、 整体的形式
吸附剂堆积密度是指催化剂堆积时，把骨架体积、微孔体积和颗粒间的空隙体积均计算在内的密度。
树脂的湿视密度是指（），也称堆积密度，即（），单位是（）。
骨料在自然堆积状态下单位体积的质量，是指（）密度。A、表观B、紧密C、堆积
材料的密度、表观密度、堆积密度之间的大小关系是（）A、密度＞堆积密度＞表观密度B、堆积密度＞密度＞表观密度C、密度＞表观密度＞堆积密度D、堆积密度＞表观密度＞密度
单选题对于同一种材料，各种密度参数的大小排列为（ ）。A密度＞堆积密度＞表观密度B密度＞表观密度＞堆积密度C堆积密度＞密度＞表观密度D表观密度＞堆积密度＞密度
填空题堆积密度是指其在自然堆积状态下单位体积的质量；而表观密度则是指骨料颗粒（）的质量。
填空题树脂的湿视密度是指（），也称堆积密度，即（），单位是（）。
判断题关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。A对B错
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A对B错
多选题跳线指（）A不带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接B带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接C不带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接D带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接
判断题接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。A对B错
单选题材料的密度、表观密度、堆积密度之间的大小关系是（）A密度＞堆积密度＞表观密度B堆积密度＞密度＞表观密度C密度＞表观密度＞堆积密度D堆积密度＞表观密度＞密度
问答题在VLSI中，为什么要采用Cu互连及多层金属化技术？
单选题在集成电路版图设计中，via1层通常是用来做第一层金属层和下列那些层次的通孔层的？（）Ametal2BactiveCpoly1Dnwell
单选题所有的传统元器件，如晶体管、电阻、连线等都将在硅片内以（）的互相连接。A 串行的形式B 并行的形式C 个体的形式D 整体的形式