判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,容易产生热电子发射,使游离过程加强,不易复合。A对B错

判断题
影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,容易产生热电子发射,使游离过程加强,不易复合。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

熄灭电弧的条件() A.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率B.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率C.升高温度使电弧中的热游离增强D.降低温度使电弧中的正负离子减少

采用特殊金属材料作为灭弧触头的原理是( )。A.降温、进而抑制电弧B.增强介质去游离能力C.抑制游离作用D.加快离子扩散和复合

采用特殊金属材料作灭弧触头原理是()。A降温,进而抑制电弧B增强介质去游离能力C抑制游离作用D加快离子扩散和复合

影响去游离的因素有()A、介质特性B、热电子发射C、冷却电弧D、气体介质的压力E、触头材料F、阴极电压

断路器中,熔点高,导热系数和热容量大得耐高温金属作触头材料,可以减少热电子发射和电弧中的金属蒸汽,抑制()作用。

要使电弧熄灭,必须使触头间电弧中的去游离率大于游离率。

断路器采用热容量大、热传导力强、耐高温、不易发射电子、不因熔化而产生金属蒸气的金属材料制做触头。

触头间出现电弧后,最主要的游离过程是()。A、阴极冷发射B、阴极热发射C、累积游离D、热游离

影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。

影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。

电弧形成的过程分为几个阶段()A、去游离B、热电子发射C、强电场发射D、碰撞游离E、热游离F、扩散与复合

影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场弱,复合过程强;电场强,复合过程弱。

真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A、触头产生的金属蒸汽B、触头间隙介质的碰撞游离C、触头间隙介质的热游离D、触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

在触头间产生的碰撞游离,主要发生在()。A、断路器触头分离的初期B、断路器触头分离的中期C、断路器触头分离的后期D、断路器触头分离的整个过程之中

电弧中的去游离过程大于游离过程,使电弧中的中性质点增加,带电质点减少,达到一定程度时,触头间隙由良好的导电状态变为绝缘状态则电弧()。

断路器的触头材料对灭弧影响很大,触头应采用()的金属材料。A、熔点高B、导热能力强C、热容量大D、熔点低E、导热能一般F、热容量小

断路器的触头应采用()的材料制成。A、熔点低B、熔点高C、导热能力强D、热容量大

要使电弧熄灭,必须使触头间电弧中离子的()。A、去游离率大于游离率;B、去游离率等于游离率;C、去游离率小于游离率。

判断题触头材料的导热系数不能过低,否则,将减弱触头开断大电流的能力。A对B错

单选题真空断路器触头开断过程中,主要依靠()形成电弧。A触头产生的金属蒸汽B触头间隙介质的碰撞游离C触头间隙介质的热游离D触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离

判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质不易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质容易复合。A对B错

判断题影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场强,复合过程强;电场弱,复合过程弱。A对B错

单选题触头间出现电弧后,最主要的游离过程是()。A阴极冷发射B阴极热发射C累积游离D热游离

判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。A对B错

多选题电弧形成的过程分为几个阶段()A去游离B热电子发射C强电场发射D碰撞游离E热游离F扩散与复合

多选题影响去游离的因素有()A介质特性B热电子发射C冷却电弧D气体介质的压力E触头材料F阴极电压

判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。A对B错