单选题CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A光刻技术B转移电荷C光电效应D光电转化
单选题
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。
A
光刻技术
B
转移电荷
C
光电效应
D
光电转化
参考解析
解析：
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DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
单选题在以下各种说法中，正确的是（）A虽然CCD是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去；B不但CCD是通过P-N结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去；C光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出去；D光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放掉。